博思數據：中國成世界最大大功率電子器件需求市場
2014-04-18 來源：博思數據研究中心 8條評論
導讀: 博思數據：中國成世界最大大功率電子器件需求市場，在國內，60 年代晶閘管研究開始起步，70 年代研制出大功率的晶閘管，80年代以來，大功率晶閘管在中國得到很大發展，同時開始研制模塊;本世紀以來，開始少量引進超大功率晶閘管(含光控晶閘管)技術;近年來國家正在逐步引進IGBT、MOSFET 技術。中國宏觀經濟的不斷成長，帶動了大功率半導體器件技術的發展和應用的不斷深入。
我國電力電子器件起步較晚，外商在中國大功率半導體市場上占據絕對優勢地位，不過近年來，我國電力電子器件件市場發展快速，在全球市場中所占的份額越來越大，已成為全球最大的大功率電力電子器件需求市場。
分立功率器件按照功率的大小劃分為大功率半導體器件和中小功率半導體器件。具體來說，大功率晶閘管專指承受電流值在200A 以上的晶閘管產品;大功率模塊則指承受電流25A 以上的模塊產品;大功率IGBT、MOSFET 指電流超過50A 以上的IGBT、MOSFET 產品。
1956 年美國貝爾實驗室(Bell Lab)發明了晶閘管，國際上，70 年代各種類型的晶閘管有了很大發展，80 年代開始加快發展大功率模塊，同時各種大功率半導體器件在歐美日有很大的發展，90 年代IGBT 等全控型器件研制成功并開始得到應用。
在國內，60 年代晶閘管研究開始起步，70 年代研制出大功率的晶閘管，80年代以來，大功率晶閘管在中國得到很大發展，同時開始研制模塊;本世紀以來，開始少量引進超大功率晶閘管(含光控晶閘管)技術;近年來國家正在逐步引進IGBT、MOSFET 技術。中國宏觀經濟的不斷成長，帶動了大功率半導體器件技術的發展和應用的不斷深入。
晶閘管、模塊、IGBT 的發明和發展順應了電力電子技術發展的不同需要，是功率半導體發展歷程中不同時段的重要標志產品，他們的應用領域、應用場合大部分不相同，小部分有交叉。
高電壓、大電流、高頻化、模塊化、智能化的方向發展。在10Khz 以下、大功率、高電壓的場合，大功率晶閘管和模塊具有很強的抗沖擊能力及高可靠性而占據優勢，同時又因成本較低、應用簡單而易于普及。在10Khz 以上、中低功率場合，IGBT、MOSFET 以其全控性、適用頻率高而占據優勢。
據博思數據發布的《2014-2019年中國大功率半導體器件市場現狀分析及投資前景研究報告》表明：2012年我國大功率半導體行業產量約1125萬只，同比2011年的938萬只增長19.94%，近幾年我國大功率半導體行業產量情況如下圖所示：
資料來源：博思數據研究中心整理
中國電子器件市場分析與投資前景研究報告
報告主要內容
行業解析
全球視野
政策環境
產業現狀
技術動態
細分市場
競爭格局
典型企業
前景趨勢
進出口跟蹤
產業鏈調查
投資建議
申明:
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